我公司的此项目负责人“庞德春”先生，早在70年代就已经对此项目实施过工业化生产。当时就已经拉制出达到水平的产品。    产品检测达到7N以上，采用硅烷法生产工艺，直拉法单晶N型，电阻率270欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 区熔法拉制5次，为N型，电阻率5000欧姆/cm：拉制11次为P型，电阻率为3万欧姆/cm，载流子寿命可达360毫秒。 用此硅片制作的高压硅堆能耐压2000V。是当时世界上的技术。    近两年，庞德春先生又总结了改良西门...[详细介绍]